利用SiO2薄膜台湾大学推出小型压力传感器液压系统

利用SiO2薄膜台湾大学推出小型压力传感器 台湾淡江大学机械与电机工程系日前开发成功出尺寸为50μm×50μm的小型压力传感器芯片。通过对压力传感器部分的薄膜形成手法进行改进，实现了小型化。同时还使用明胶对传感器部分进行了封装。这种压力传感器可用于生物相关领域。

据介绍，此次开发的工艺在传感器部分的薄膜中使用了sio2(二氧化硅)层，在生产过程中支撑薄膜的牺牲层中使用了金属层，在检测压力的传感器压电电阻中使用了多晶硅。全部均可采用台积电双层多晶硅四层金属的cmos工艺形成。在sio2层的一部分中切出孔，并形成过孔，然后就能利用后续的蚀刻工艺去除牺牲层和过孔金属。牺牲层去除后，位于牺牲层下方的硅底板也需进行蚀刻处理，以使压电电阻部分能除压力而变化。金属和硅底板的蚀刻采用的是普通蚀刻材料。

封闭带孔薄膜的工艺使用的是不同于cmos的其他工艺。具体来说，就是从切孔中填入蛋白质明胶，将薄膜的下部空间填充上。只需利用旋涂法涂布液态明胶即可。通过填充明胶，能够排除外部环境的干扰。压力灵敏度为8.56±0.13mv釉面砖/v/psi，高于过去的压电电阻型压力传感器。

台湾淡江大学机械与电机工程系日前开发成功出尺寸为50μm×50μm硅胶电线的小型压力传感奔驰配件器芯片。通过对压力传感器部分的薄膜形成手法进行改进，实现了小型化。同时还使用明胶对传感器部分进行了封装。这种压力传感器可用于生物相关领域。

据介绍，此次开发的工艺在传感器部分的薄膜中使用了sio2(二氧化硅)层，在生产过程中支撑薄膜的牺牲层中使用了金属层，在检测压力的传感器压电电阻中使铜电缆用了多晶硅。全部均可采用台积电双层多晶硅四层金属的cmos工艺形成。在sio2层的一部分中切出孔，并形成过孔，然后就能利用后续的蚀刻工艺去除牺牲层和过孔金属。牺牲层去除后，位于牺牲层下方的硅底板也需进行蚀刻处理，以使压电电阻部分能除压力而变化。金属和硅底板的蚀刻采用的是普通蚀刻材料。

封闭带孔薄膜的工艺使用的是不同于cmos的其他工艺。具体来说，就是从切孔中填入蛋白质明胶，将薄膜的下部空间填充上。只需利用旋涂法涂布液态明胶即可。通过填充明胶，能够排除外部环境的干扰。压力灵敏度为8.56±0.13mv/v/psi，高于过去的压电电阻型压力传感器。

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